›
›

Bài giảng Linh kiện và mạch điện tử - Chương 2: BJT Transistor

pdf 26 trang hapham 2810
Download
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Bài giảng Linh kiện và mạch điện tử - Chương 2: BJT Transistor", để tải tài liệu gốc về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên

Tài liệu đính kèm:

  • pdfbai_giang_linh_kien_va_mach_dien_tu_chuong_2_bjt_transistor.pdf

Nội dung text: Bài giảng Linh kiện và mạch điện tử - Chương 2: BJT Transistor

  1. dce 2016 ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT Faculty of Computer Science and Engineering Department of Computer Engineering BK TP.HCM Vo Tan Phuong
  2. dce 2016 Chapter 2 BJT Transistor ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 2
  3. dce 2016 Nội dung trình bày • Cấu tạo của BJT Transistor • Nguyên lý hoạt động • Các thông số và đặc tuyến • Các chế độ làm việc ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 3
  4. dce 2016 Cấu tạo BJT Transistor • BJT = Bibolar Junction Transistor – Bibolar: cả lỗ trống và electron tham gia vào hoạt động dẫn điện – Gồm 2 mối nối PN nối tiếp nhau => có 2 cách PNP và NPN • Gồm 3 cực E (phát), B (nền), C (thu): – Nồng độ tạp chất thêm vào (doping): E > C (bình thường) > B – Lớp bán dẫn nền B ở giữa rất mỏng ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 4
  5. dce 2016 Nguyên lý hoạt động • Phân cực 2 mối nối (EBJ và CBJ) quyết định các chế độ hoạt động của BJT • Có 4 khả năng: Chế độ hoạt động Mối nối EBJ Mối nối CBJ Tắt Phân cực ngược Phân cực ngược Khuếch đại Phân cực thuận Phân cực ngược Không dùng Phân cực ngược Phân cực thuận Mở (bảo hòa) Phân cực thuận Phân cực thuận ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 5
  6. dce 2016 Chế độ khuếch đại • EBJ: phân cực thuận – Hạt tải chính từ E tràn sang B là loại hạt tải phụ của B • CBJ: phân cực ngược – Chỉ cho phép các hạt tải phụ bên B đi qua IE IC IB ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 6
  7. dce 2016 Chế độ khuếch đại (tt) ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 7
  8. dce 2016 Nội dung trình bày • Cấu tạo của BJT Transistor • Nguyên lý hoạt động • Các thông số và đặc tuyến • Các chế độ làm việc ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 8
  9. dce 2016 Tỉ số dòng điện • Xét BJT ở chế độ khuếch đại – EBJ phân cực thuận Các hạt dẫn đa số từ E tràn sang B – CBJ phân cực ngược, hút các hạt dẫn từ E tràn sang B đến C ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 9
  10. dce 2016 Các loại điện thế trên BJT • Có 3 loại điện thế liên quan đến BJT trong mạch điện: – Nguồn cung cấp: VCC , VBB – Điện thế tại các cực: VC , VB , VE – Hiệu điện thế giữa các cực: VBE , VCE , VCB ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 10
  11. dce 2016 Tính toán áp và dòng trong mạch • Mối nối E-B phân cực thuận, tương tự diode, VBE ≈ 0.7V • Phần mạch bên cực nền: • Phần mạch bên cực thu: ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 11
  12. dce 2016 Họ đặc tuyến i-v • Thông số quan trọng nhất là các họ đặc tuyến i-v: – Thể hiện giá trị IC tương ứng với giá trị VCE cho các giá trị IB khác nhau • Có 4 vùng: – Khuếch đại (Active) – Bão hòa (Saturation) – Ngưng dẫn (Cutoff) – Đánh thủng (Breakdown) ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 12
  13. dce 2016 Đường tải DC trên họ đặc tuyến i-v • Xét phần mạch bên cực thu C: – Đường tải DC cắt trục x tại VCE = VCC tương ứng IC = 0 – Đường tải DC cắt trục y tại IC = VCC/RC tương ứng VCE = 0 – Giao điểm đường tải DC với với các đường đặc tuyến xác định điểm làm việc tĩnh (Q-point) ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 13
  14. dce 2016 Đường tải DC trên họ đặc tuyến i-v (tt) • Chuyển đổi giữa các vùng: – IB = 0, BJT ở trạng thái ngưng dẫn – IB tăng, BJT vào vùng khuếch đại, IC = βIB , IC tăng làm VCE giảm – VCB = VCE – VBE khi VCE giảm đến giá trị bão hòa VCESAT,làm cho mối nối BC phân cực thuận (VCB ≤ -0.5V) ngăn IC tăng ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 14
  15. dce 2016 Tóm tắc các vùng trên đồ thị họ đặc tuyến • Vùng khuếch đại (Active) – Mối nối EB phân cực thuận – Mối nối CB phân cực ngược – IC được điều khiển bởi IB • Vùng bão hòa (Saturation) – Mối nối EB phân cực thuận – Mối nối CB phân cực thuận – IC đạt giá trị tối đa ICSAT – V đạt giá trị nhỏ nhất V CE CESAT • Vùng đánh thủng (Breakdown) • Vùng ngưng dẫn (Cutoff) – IC, VCE và vượt – Mối nối EB phân cực ngược, giới hạn cho phép không có dòng chạy qua – BJT bị hỏng ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 15
  16. dce 2016 Bảng thông số kỹ thuật Datasheet của BJT ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 16
  17. dce 2016 Nội dung trình bày • Cấu tạo của BJT Transistor • Nguyên lý hoạt động • Các thông số và đặc tuyến • Các chế độ làm việc ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 17
  18. dce 2016 Các chế độ làm việc của BJT • Transistor được phân cực để làm việc trong vùng giới hạn cho phép (vùng màu trắng) – IC < IC(max) – VCE < VCE(max) – PD = IC*VCE < PD(max) • Có hai chế độ làm việc: – Khóa (Switch) – Khuếch đại (Amplifier) ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 18
  19. dce 2016 Chế độ khóa • Transistor phân cực hoạt động trong 2 vùng – Ngưng dẫn, IB = 0 không có dòng chạy qua transistor IC = 0, khóa hở – Bão hòa, IC đạt giá trị cực đại IC(sat) ,VCE đạt giá trị cực tiểu VCE(sat) ≈ 0.2V đến 0.5V, khóa đóng ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 19
  20. dce 2016 Chế độ khóa (tt) • Vin = 0V (Low) IB = 0 Transistor ngưng dẫn, IC = 0 VOut = VCC (High) • Vin = VCC (High), Transistor ở trạng thái bão hòa VOut = VCE(Sat) (Low) 푖푛 − = > ( 푖푛) = 훽 (푠 푡) 푅 ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 20
  21. dce 2016 Chế độ khóa (tt) • Nhận xét: – Hoạt động như cổng đảo – Dòng IC đạt giá trị bảo hòa đảm bảo dòng điện hoạt động của tải (Đèn LED, Động cơ, Rờ le ) ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 21
  22. dce 2016 Chế độ khuếch đại • Biến đổi tín hiệu ac nhỏ (sóng vô tuyến, micro ) thành tín hiệu có dạng sóng tương tự nhưng có biên độ lớn hơn • BJT hoạt động trong vùng khuếch đại, Vb thay đổi dẫn đến Ib thay đổi, Ic sẽ thay đổi theo một cách tuyến tính nhưng lớn hơn lần (Ic = βIb), Vce thay đổi theo Ic ngõ vào Vb có biên độ nhỏ qua BJT tạo ra Vce ngõ ra có biên độ lớn ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 22
  23. dce 2016 Chọn lựa điểm làm việc tĩnh Q-point • Yêu cầu của mạch khuếch đại là tạo ra tín hiệu lớn hơn nhưng giữ được dạng sóng • Chọn lựa điểm làm việc tĩnh đảm bảo yêu cầu bảo toàn dạng sóng ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 23
  24. dce 2016 Chọn lựa điểm làm việc tĩnh Q-point (tt) • Tín hiệu ac thay đổi xung quanh điểm làm việc tĩnh điểm làm việc động có khả năng làm BJT vào vùng bão hòa hoặc vùng ngưng dẫn (không còn tuyến tính không bão toàn dạng sóng) ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 24
  25. dce 2016 Chọn lựa điểm làm việc tĩnh Q-point (tt) • Ví dụ BJT được phân cực đúng cho chế độ khuếch đại ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 25
  26. dce 2016 Các cách phân áp chọn Q-point • Cầu phân áp • Hồi tiếp cực C • Phân áp trực tiếp ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUIT– Chapter 2 © Spring 2016 26